納米ATO粉體
純SnO2理論上屬典型絕緣體，但由于存在晶格氧缺位，在禁帶內形成Ed＝－0.15eV的施主能級，向導帶提供1015～1018cm-3濃度的電子，故SnO2具有n型半導體性質。5價元素如Sb, As或F元素摻雜均能形成淺施主能級，摻雜>1.0%（質量百分數）時，電阻率可達10-1~10-4Ω?cm，所以摻雜SnO2屬透明、導電n型半導體材料，導電性質介于傳統半導體（如Si, Ge, GaAs）和金屬之間。
SnO2為一種具有優異導電性能的金屬氧化物復合粉體，可作透明導電膜材料，其制備和應用研究目前在國內外都相當廣泛，國外所用的抗靜電膜主要是在涂層材料中加入ATO粉。ATO超細導電粉可以廣泛應用于抗靜電塑料、纖維、涂料、顯示器用“三防”涂層材料、紅外吸收隔熱材料、氣敏元件、太陽能電極材料等，極具發展潛力。
技術指標
項目名稱
指標
外觀
灰藍色粉末
成分配比
SnO2:
Sb2O3＝90:10
純度（%）
SnO2+Sb2O3≥99.9
顆粒狀態
近似球形
一次粒徑（nm）
≤20
比表面積(m2/g)
≥50
堆積密度（g/ml）
0.6～1.0
納米ATO粉體掃描電鏡照片
